دانلود پاورپوینت ترانزیستورهای تک الکترونی (SETs) با فرمت pptx ودر 20 اسلاید قابل ویرایش

قسمتی از متن پاورپوینت

ترانزیستور تك الكترونی در حقیقت مانند یک جعبه الكترون است كه دارای دو اتصال جداگانه برای ورود و خروج الكترون می‌باشد. بزرگترین مزیت ترانزیستور تک الكترونی آن است كه در ابعاد بسیار كوچک (درحد نانومتر) قابل ساخت است.

برای کنترل جریان در حد تک

الکترون، به چند پایه نیاز است

1) فضای منفردی برای نگهداری الکترون که معمولا آن را جزیره (Island) نامند.

2) الکترود های هادی برای انتقال الکترون به داخل یا خارج جزیره

3)پیوند تونلی بین الکترود و جزیره ،برای محدود کردن عبور

الکترون ها و ایجاد کنترل بر روی جریان

در ترانزیستورهای تک الکترون به وسیله دو نیم کردن پیوند تونلی در بسته تک الکترون، دو پیوند جداگانه ی به صورت سری، برای ورود و خروج تک الکترون ها ساخته می شود

ولتاژ dc، V، بین دو قسمت الکترودهای خارجی که اکنون

از هم جدا شده اند قرار داده می شود و ولتاژ اعمالی به گیت بر روی انرژی لازم برای تغییر تعداد الکترون های موجود در جزیره تاثیر می گذارد

اگر ولتاژ بایاس بین سورس و درین افزایش پیدا کند، هنگامی که انرژی موجود دراین سستم به انرژی کولمب می رسد، یک الکترون می تواند به جزیره وارد شود

اگر ولتاژ بایاس زیر ولتاژ شکاف کولمب نگه داشته شود و ولتاژ گیت افزایش یابد:

1. اگر هیچ الکترون اضافی در جزیره موجود نباشد،

انرژی اولیه سیستم به تدریج زیاد می شود

انرژی اولیه سیستم به تدریج کم می شود

جریان جاری در ترانزیستور تک الکترون با ولتاژ بایاس بین سورس و درین زیاد می شود و با ولتاژ گیت به

صورت تناوبی تغییر می کند

روشهاي ساخت با توجه به مراحل اصلی میتواند به روشهاي فیزیکی و شیمیایی تقسیم شوند

روش های فیزیکی

روش های فیزیکی اغلب با استفاده از ترکیب فیلم های نازک و فناوری لیتوگرافی انجام میگیرد. دقت زیاد در طراحی

هندسه و چگالی الکترون این قطعات مهم می باشد

روش های شیمیایی

رویکرد دیگر، رشد ساختارهای نانو شیمیایی است. این

روش بخاطر هزینه پایین آن و کنترل پذیري خوب اندازه

جزایر کولنی روش موفقی است. اگرچه SETهای ساخته شده در آزمایشگاه نتایج شگفت انگیزي را نشان می دهند،

اما در صنعت قابل استفاده نمی باشند

پیوندهای تونلی ساخته شده با استفاده از روش دولان پل، اولین ساختار با ناحیه پیوندی فوق العاده کوچک، مورد نیاز برای ترانزیستورهای تک الکترون بودند. منطقه هم پوشانی ناشی از تبخیر با دو

زاوایه متفاوت و ایجاد اکسید با ضخامت مناسب، منجر به پیوند تونلی می گردد